Державний університет інформаційно-комунікаційних технологій
XS
SM
MD
LG
XL
XXL
Державний університет інформаційно-комунікаційних технологій
Державний університет інформаційно-комунікаційних технологій

Адреса:
03110, Україна
м. Київ, вул. Солом'янська, 7
Контактна інформація:
Консультаційний центр (Приймальна комісія):
Телефон: (044) 249-25-91,
Телефон: (066) 227-46-60
Відділ документообігу
Телефон / факс: (044) 249-25-12
Відділ медіакомунікацій
Телефон: (099) 109-41-23
Державний університет інформаційно-комунікаційних технологій
  
Укр.
 
Select lang
        
           Пошук    
  
Укр.
 
Select lang
08:29, 31-01-2017

Новий лазер на основі незвичайного явища фізики міг би покращити телекомунікації та обчислювальну техніку

Дослідники з Каліфорнійського університету в Сан-Дієго показали перший в світі лазер на основі нетрадиційного явища хвильової фізики, так звані «зв'язані стани в континуумі». Технологія може прискорити розвиток поверхневих лазерів, що робить їх більш компактними і енергоефективними для зв'язку і обчислювальних систем. Нові BIC лазери також можуть бути розроблені в якості потужних лазерів для промислових і оборонних застосувань.

Наприклад, BIC лазери можуть бути легко налаштовані, щоб випромінювати пучки різних довжин хвиль, що є корисною функцією для медичних лазерів, орієнтованих точно на ракові клітини без пошкодження нормальної тканини. BIC лазери також можуть бути зроблені, щоб випромінювати пучки спеціально сконструйованих форм (спіраль, пончик або колоколообразной кривої) – так звані векторні промені - які могли б поліпшити комп'ютери і оптичні системи зв'язку, які можуть нести до 10 разів більше інформації, ніж існуючі.

Зв'язані стани в континуумі (BIC) - це явища, які були передбачені з 1929 року. BIC - це хвилі, які залишаються абсолютно тісно пов'язаними у відкритій системі.

У попередньому дослідженні, Канте і його команда продемонстрували, що на надвисоких частотах BIC можна використовувати для ефективної пастки і зберігати світло, щоб включити сильну взаємодію світла і речовини. Тепер вони приборкують BIC для демонстрації нових типів лазерів. Команда опублікувала роботу 12 січня.

Створення лазера BIC. Лазер BIC в даній роботі будується з тонкої напівпровідникової мембрани, виготовленої з індію, галію, миш'яку і фосфору. Мембрана структурована у вигляді масиву нанорозмірних циліндрів, зважених в повітрі. Циліндри з'єднані між собою мережею опорних мостів, які забезпечують механічну стійкість пристрою.

Шляхом подачі живлення через мембрану за допомогою лазерного променя високої частоти, дослідники змусили BIC систему випускати свій власний лазерний промінь більш низької частоти.

© При повному чи частковому використанні матеріалів сайту ДУІКТ гіперпосилання на сайт https://duikt.edu.ua/ обов'язкове!
Читайте також

Абітурієнту

Інтелектуальні технології мікросистемної радіоелектронної техніки

Підготовка за даною спеціалізацією передбачає оволодіння наступними компетенціями: розробка конструкції деталі радіоелектронного апарату (РЕА), схем окремих вузлів та виробів мікроелектронної техніки, конструкції друкованої плати мікрозборки, конструкції плати гібридно-плівкової мікросхеми, конструкції вузла РЕА (вузла на друкованій платі, гібридно-плівкової мікросхеми), конструкції вузла РЕА з виконанням перевірочних розрахунків та корегування конструкції за результатами випробувань, конструкції блоків, частин високих ієрархічних рівнів та закінчених пристроїв РЕА; конструкторський супровід виробництва РЕА; модернізація та уніфікація конструкцій існуючих РЕА.

Інтелектуальні технології мікросистемної радіоелектронної техніки

Підготовка за даною спеціалізацією передбачає оволодіння наступними компетенціями: розробка конструкції деталі радіоелектронного апарату (РЕА), схем окремих вузлів та виробів мікроелектронної техніки, конструкції друкованої плати мікрозборки, конструкції плати гібридно-плівкової мікросхеми, конструкції вузла РЕА (вузла на друкованій платі, гібридно-плівкової мікросхеми), конструкції вузла РЕА з виконанням перевірочних розрахунків та корегування конструкції за результатами випробувань, конструкції блоків, частин високих ієрархічних рівнів та закінчених пристроїв РЕА; конструкторський супровід виробництва РЕА; модернізація та уніфікація конструкцій існуючих РЕА.

Переглядів: 7 118
Отримайте консультацію

Дізнайтесь про переваги навчання в ДУІКТ