20 листопада на кафедрі фізики було проведено науково-технічний семінар.

На семінарі, який відбувся 20 листопада 2017 року на кафедрі фізики, була заслухана доповідь к.ф.-м.н., ст. н.с., доцента Редько Романа Анатолійовича на тему “Physical mechanisms and principles of long-term transformations of GaN- device structures due to weak magnetic field treatment and microwave irradiation”. Були представлені результати щодо еволюції дефектної підсистеми напівпровідникової сполуки GaN, вирощеної MOCVD-методом на підкладках Al₂O₃, внаслідок обробки останньої надвисокочастотними (НВЧ) електромагнітними полями та слабким магнітним полем (СМП).

Основна увага була приділена аналізу фотолюмінісцентних, оптичних, морфологічних та структурних характеристик досліджуваної структури, модифікація яких відбувається протягом тривалого часу після припинення дії вказаних обробок. Для пояснення спостережуваних змін був використаний ймовірнісно - фізичний підхід згідно розподілу Вейбула-Гнеденко. Це дозволило пояснити спостережувані довготривалі зміни випромінювальної рекомбінації у часі після НВЧ та СМП обробок нітриду галію.

Запропоновано механізм розпаду домішково-дефектних комплексів, викликаний співпаданням частот іонно-плазмових коливань домішкових атомів з частотою зовнішньої вимушуючої сили, роль якої відіграє електрична складова НВЧ – випромінювання. Запропоновано механізм відкріплення і переміщення дислокацій, зумовлений резонансними коливаннями дислокацій.

Усі запропоновані механізми мають атермічну природу, тобто не передбачають помітного нагріву досліджуваних зразків, що є вагомим внеском у створення детальної та послідовної картини взаємодії мікрохвильового випромінюваня з напівпровідниковим матеріалом та можуть бути використані для прогнозування стабільності та потенційної надійності світловипромінюючих та детекторних елементів створених на основі GaN.